某企画でメモリー解説のためのタイミング知識備忘録。

●tCL(CAS# Latency)
[Read]有効～読み出し開始
CAS信号を有効化してデータを読み出し始めるまでの遅延

●tRCD(RAS# to CAS# Delay)
[Active]入力～[Read/Write]有効
RAS信号を有効化した後、CAS信号を発信するまでの間隔

●tRP(RAS# Precharge time)
[Precharge]入力～[Active]入力可能
RAS信号の無効化完了までの最短時間を指す

●tRAS(RAS# active time)
[Active]入力～[Precharge]入力可能
RAS信号が有効になっている最短時間を指す
tRAS≧tCL＋tRCD＋4(BL=4なら2)

●tRC(Row Cycle time)
[Active]入力～[Active]入力可能
RAS信号を有効にしてから無効化が完了するまで＝1サイクルの最短時間を指す
tRC≧tRAS＋tRP

●tCWL(CAS# Write Latency)
[Write]有効～書き込み開始
CAS信号を有効化してデータを書き込み始めるまでの遅延
tCLの値に対して使われるオプションが決定する？
tCWL=5@tCL=6、tCWL=6@tCL=7,8、tCWL=7@tCL=9,10、tCWL=8@tCL=11

●tAL(Additive Latency)
[Read/Write]入力～[Read/Write]有効
tRCDの待機時間中、コマンド競合による非効率化を回避する為に[Read/Write]入力を先行する遅延
CLに対して0(無効)～-2のオプション

●tRL(Read Latency)
[Read]入力～読み出し開始
tRL＝tAL＋tCL

●tWL(Write Latency)
[Write]入力～書き込み開始
tWL＝tAL＋tCWL

●tRTP(Read To Precharge delay)
[Read]入力+tAL～[Precharge]入力
基本は4CK or 7.5ns固定
tRASと重複し、両方満たされるまでPrechargeは開始されない

●tWR(Write Recovery time)
書き込み完了～[Precharge]入力
基本は15ns

●tWTR(Write To Read delay)
書き込み完了～[Read]入力
基本は4CK or 7.5ns固定

●tCCD(CAS# to CAS# Delay)
[Read/Write]入力～[Read/Write]入力
DDR3 SDRAMはtCCD＝4で固定

●tRRD(RAS# to RAS# Delay)
[Active]入力～[Active]入力
基本は4CK or 6ns＠1KB page size

●tFAW(Four Activate Window delay)
1回目の[Active]入力～5回目の[Active]入力
基本は30ns＠1KB page size

●tRFC(ReFresh ReCovery time)
全バンクに対するリフレッシュ間隔
チップにより基準が違う＠1Gb=110ns、2Gb=160ns、4Gb=300ns

[Active]―tRCD―[Read]―tCL―<Reading>―[Precharge]―tRP―<Idle>
DDR3-1600、BL=8を固定条件とすると最短で
CL6ならtCL=6、tRCD=6、tRP=6でtRAS=6+6+4=16、tRC=16+6=22となる。
CL9ならtRAS=9+9+4=22、tRC=22+9=31。

サイクル内の主な動作を纏めてみると以下の通り。
[Active]―tRCD―[Read/Write]
[Read]―tCCD―[Read]
[Read]―(tRL+tCCD+2tCK-tWL)―[Write]但しBL=4の時はtCCD/2
[Read]―tAL―tRTP―[Precharge]
[Write]―tCCD―[Write]
[Write]―tWL―<Writing>―tWTR―[Read]
[Write]―tWL―<Writing>―tWR―[Precharge]
[Precharge]―tRP―[Active]


GIGAのママンだとtWRの他tWTPまで設定させやがるんだけど、意味がわかりません。
同じくtWLも何故か単独設定させるんだが…tALを導き出すため？だとしたら鬼畜だだだ。

参考：MicronとSAMSUNGのDDR3 SDRAMのデータシート

[16回]